晶圆级封装方法及封装结构[发明专利]

来源：星星旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：晶圆级封装方法及封装结构专利类型：发明专利

发明人：罗海龙,克里夫·德劳利申请号：CN201811027607.3申请日：20180904公开号：CN110875231A公开日：20200310

摘要：一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆；在承载基板上临时键合多个芯片，多个芯片中待屏蔽的芯片为第一芯片，第一芯片的数量为一个或多个；采用熔融键合工艺使芯片键合于所述器件晶圆上；使芯片键合于器件晶圆上后，对芯片和承载基板进行解键合处理；形成覆盖芯片的封装层；在封装层中形成围绕第一芯片的沟槽；在沟槽中和封装层表面形成导电材料；位于沟槽中的导电材料为导电侧壁；位于第一芯片上方封装层表面的导电材料为导电层，用于与导电侧壁构成屏蔽壳体。本发明在部分芯片上形成屏蔽壳体，不会过多的增加整个封装结构的体积和厚度，从而使封装结构更轻薄，且芯片和器件晶圆以熔融键合的方式相键合，具有较高的键合强度。

申请人：中芯集成电路(宁波)有限公司

地址：315800 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

国籍：CN

代理机构：上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文