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一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法

来源：星星旅游

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201911021794.9 （22）申请日 2019.10.25

（71）申请人上海申和热磁电子有限公司

地址 200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号

（10）申请公布号 CN110813881A

（43）申请公布日 2020.02.21

（72）发明人王建华;贺贤汉;王全喜;胡兴平（74）专利代理机构上海申浩律师事务所

代理人赵建敏

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种改善腐蚀后药液残留的硅片清洗方法

（57）摘要

本发明涉及半导体技术领域。一种改善腐

蚀后药液残留的硅片清洗方法，采用硅片清洗设备进行清洗，硅片清洗设备包括至少一个溢流清洗槽，溢流清洗槽的底部安装有用于输送氮气的氮气输送管路，氮气输送管路上开设有导出氮气的出气口，氮气输送管路通入的氮气的气压为0.008‑0.012Mpa。本专利通过溢流槽内通有氮气，使得溢流槽中的水循环量变大，使得硅片表面的药液能有效地去除，在相同清洗剂的条件

下，采用通设有氮气的溢流槽清洗后的硅片的药液残留率大大低于传统溢流槽内不设有氮气通气管路的情况。

法律状态

法律状态公告日

2020-02-21 2020-02-21 2020-03-17

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效

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公开公开

实质审查的生效

权利要求说明书

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说明书

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