专利名称：单晶硅晶片及单晶硅的制造方法专利类型：发明专利
发明人：樱田昌弘,小林武史,森达生,布施川泉,太田友彦申请号：CN01805741.1申请日：20011226公开号：CN1406292A公开日：20030326
摘要：本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。
申请人：信越半导体株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：黄剑锋
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