专利名称：一种半导体器件中孔结构及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：阳叶军,张文杰,姚森,曾臻申请号：CN202010011624.9申请日：20200106公开号：CN111180386A公开日：20200519
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件中孔结构及其形成方法，所述方法包括：在介电层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层上具有第一开口；基于所述第一开口，对所述介电层进行第一预设深度的蚀刻，形成第一凹槽；修整硬掩膜层，将第一开口增宽为第二开口；基于所述第二开口，对所述介电层进行第二预设深度的蚀刻，形成第二凹槽；其中，所述第二预设深度小于所述第一预设深度；所述第二凹槽与所述第一凹槽共同构成所述孔结构。
申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
国籍：CN
代理机构：北京派特恩知识产权代理有限公司
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