专利名称：膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法专利类型：发明专利发明人：山崎舜平,村上雅一申请号：CN2007100037.6申请日：20021212公开号：CN1010657A公开日：20071017
摘要：本发明的目的在于提供一种能够形成高密度和高纯度EL层的膜形成装置和清洁方法。本发明为通过加热衬底的加热装置加热衬底10、借助连接到膜形成室的减压装置(如涡轮分子泵、干泵、低温抽气泵等的真空泵)将膜形成室的压力减小到5×10乇(0.665Pa)或以下，优选减小到1×10乇(0.133Pa)或以下并通过从淀积源淀积有机化合物材料进行膜形成，形成高密度EL层。在膜形成室中，通过等离子体进行淀积掩模的清洁。
申请人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县厚木市
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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