专利名称:集成电路的压焊盘结构及其工艺方法专利类型:发明专利发明人:吕宇强,王磊,倪胜中申请号:CN201710831363.3申请日:20170915公开号:CN109509732A公开日:20190322
摘要:一种集成电路的压焊盘结构及其工艺方法,集成电路的压焊盘结构包括P型硅衬底、隔离层、深N阱、P+有源区、N+有源区、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层以及第三金属层,其中,深N阱是以分布式图形注入形成在P型硅衬底中,以及第一金属层分为第一区以及第二区,第一区通过一第一接触孔的金属连接P+有源区,第二区通过一第二接触孔的金属连接N+有源区。
申请人:帝奥微电子有限公司
地址:226017 江苏省南通市苏通科技产业园纬14路16号
国籍:CN
代理机构:上海宏威知识产权代理有限公司
代理人:张晓芳
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