专利名称：集成电路的压焊盘结构及其工艺方法专利类型：发明专利发明人：吕宇强,王磊,倪胜中申请号：CN201710831363.3申请日：20170915公开号：CN109509732A公开日：20190322
摘要：一种集成电路的压焊盘结构及其工艺方法，集成电路的压焊盘结构包括P型硅衬底、隔离层、深N阱、P+有源区、N+有源区、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层以及第三金属层，其中，深N阱是以分布式图形注入形成在P型硅衬底中，以及第一金属层分为第一区以及第二区，第一区通过一第一接触孔的金属连接P+有源区，第二区通过一第二接触孔的金属连接N+有源区。
申请人：帝奥微电子有限公司
地址：226017 江苏省南通市苏通科技产业园纬14路16号
国籍：CN
代理机构：上海宏威知识产权代理有限公司
代理人：张晓芳
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