专利名称：具有谐振腔增强效应栅格阵列型的SOI光电探测器专利类型：实用新型专利发明人：洪慧,李梦,刘倩文申请号：CN201420408915.1申请日：20140723公开号：CN203983282U公开日：20141203
摘要：本实用新型公开了一种具有谐振腔增强效应栅格阵列型的SOI光电探测器，已有CMOS光电探测器结构的半导体CMOS工艺限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型包括p型半导体衬底、埋氧化层、n型掺杂区、p型欧姆接触区、环形地电极、环形电压极、n型欧姆接触区、输出电极、栅格阵列型的PCOMP、顶层氧化层和多晶硅 ；本实用新型解决了量子效率和响应度之间因为吸收层厚度的原因而相互制约的问题，使得光电探测器的性能大大提高，应用领域也大大拓宽，减小了光电系统体积、降低系统重量、提高系统性能与可靠性，同时有利于节省资源。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州求是专利事务所有限公司
代理人：杜军
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