专利名称:晶圆刻蚀设备专利类型:实用新型专利发明人:刘洪浩,张文福,高英哲申请号:CN2018216178.6申请日:20181012公开号:CN208753278U公开日:20190416
摘要:本实用新型涉及一种晶圆刻蚀设备,包括:刻蚀腔体;与所述刻蚀腔体连接的回收槽,用于存储从所述刻蚀腔体内排出的刻蚀液,并循环输出至所述刻蚀腔体;浓度检测装置,连接至所述回收槽,用于检测所述回收槽内的刻蚀液浓度;补液管路,连通至所述回收槽,与所述浓度检测装置连接,用于当所述回收槽内的刻蚀液浓度低于一设定值时,向所述回收槽内补充初始刻蚀液,所述初始刻蚀液的浓度大于所述回收槽内的刻蚀液浓度。所述晶圆刻蚀设备在刻蚀过程中进入刻蚀腔室内的刻蚀液浓度稳定,可通过刻蚀时间准确控制对晶圆的刻蚀厚度。
申请人:德淮半导体有限公司
地址:223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
国籍:CN
代理机构:上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
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