专利名称：远紫外线光刻处理方法专利类型：发明专利
发明人：卢彦丞,游信胜,严涛南申请号：CN201310158694.7申请日：20130502公开号：CN103969962A公开日：20140806
摘要：本发明公开了一种远紫外线光刻处理方法。该处理方法包括：接收远紫外光(EUV)掩膜、EUV放射源和照明器。该处理方法也包括：通过放射光以小于3度的物体侧的主光线入射角(CRAO)曝光EUV，其中，辐射光来自EUV放射源且被照明器定向。该处理方法进一步包括去除大部分的非衍射光以及通过投影光学箱(POB)收集和定向衍射光和没有被去除的非衍射光，从而曝光目标。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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