专利名称：锂二次电池用电极、锂二次电池及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：高桥庆一,宇贺治正弥,古结康隆,美浓辰治,长尾宣明,
长谷川正树
申请号：CN200680041330.9申请日：20061107公开号：CN101300694A公开日：20081105
摘要：本发明的锂二次电池用电极具备片状的集电体、和担载于集电体上的活性物质层，活性物质层包含具有至少1个弯曲部的多个柱状粒子，柱状粒子能够吸藏和放出锂。另外，本发明的锂二次电池用电极的制造方法，具有以下步骤：第1步骤，使活性物质的粒子以+10°～+60°的第1入射角入射到片状的集电体上从而使活性物质沉积；第2步骤，使活性物质的粒子以－10°～－60°的第2入射角入射到片状的集电体上从而使活性物质沉积。根据本发明，可将柱状粒子由于活性物质层的膨胀和收缩而受到的应力在弯曲部进行分散。此外，从对电极的法线方向观察时，构成本发明的电极的集电体的露出部能够显著减少，其结果，在充电时由对电极供给的锂在集电体的露出部析出的量可以减少。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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