专利名称：一种硅通孔互连结构及其制造方法专利类型：发明专利发明人：尹海洲,骆志炯申请号：CN201180037684.7申请日：20110730公开号：CN104011848A公开日：20140827
摘要：提供一种硅通孔互连结构的制造方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底（200）；从所述半导体衬底（200）的第一表面形成凹孔（202），并在所述凹孔（202）的侧壁和底面上形成第一绝缘层（203），以及在所述第一绝缘层（203）上形成牺牲层（204）；在所述凹孔（202）内填充硅通孔导体（205），以及在所述半导体衬底（200）的第一表面上形成与该硅通孔导体（205）电性连接的第一接触垫（207）；从所述半导体衬底（200）的第二表面对该半导体衬底（200）进行减薄，直至暴露出所述硅通孔导体（205）；去除所述牺牲层（204），在所述硅通孔导体（205）和第一绝缘层（203）之间形成空隙层（211）；将多个所述半导体衬底（200）堆叠后进行键合。相应地，提供一种硅通孔互连结构。该制造方法和互联结构可以有效地降低硅通孔与半导体衬底（200）之间的寄生电容，以及有效地减小硅通孔导体（205）在热膨胀中对所述半导体衬底（200）产生的应力作用。
申请人：昆山智拓达电子科技有限公司
地址：215347 昆山市玉山镇苇城南路1699号
国籍：CN
代理机构：北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：黄可峻
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