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制造多晶硅的方法

来源：星星旅游

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201580005684.7 （22）申请日 2015.01.16 （71）申请人瓦克化学股份公司

地址德国慕尼黑

（10）申请公布号 CN106163986A

（43）申请公布日 2016.11.23

（72）发明人 S·费贝尔;A·贝格曼;R·佩赫;S·里斯（74）专利代理机构永新专利商标代理有限公司

代理人张海涛

（51）Int.CI

C01B33/035;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

制造多晶硅的方法

（57）摘要

本发明提供一种制造多晶硅的方法，包

括：a)在至少一个U形支撑体上通过CVD法沉积多晶硅，所述U形支撑体通过直接通电加热至使多晶硅在所述支撑体上沉积的温度，导致形成至少一个U形对的多晶硅棒，所述支撑体的各个自由端连接至石墨电极上，并以这种方式供应电力；b)从反应器中卸载所述至少一对多晶硅棒；c)从所述至少一对多晶硅棒的至少两个多晶硅棒

的电极端移除石墨残余物；d)粉碎所述至少两个多晶硅棒，以得到棒片或得到块体；其包含，通过至少一个机械脉冲从所述至少两个多晶硅棒中每个的电极端敲掉石墨残余物。

法律状态

法律状态公告日

2016-11-23 2016-11-23 2016-12-21 2016-12-21 2019-05-14

法律状态信息

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

法律状态

公开公开

实质审查的生效实质审查的生效授权

权利要求说明书

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说明书

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