模拟集成电路复习题1

⼀.选择题(每题2分,共30分)

1.下列关于双极型模拟集成电路隔离区划分原则中不正确的说法是( )A．NPN管V C相同时, 可以放在同⼀隔离区

B. NPN管V C和PNP管的V E相同时, 可以放在同⼀隔离区C. MOS电容需要单独⼀个隔离区D. 硼扩散电阻原则上可以放在同⼀隔离区2.在版图设计中, 设计规则检查称为（）A. EXTRACTB. ERCC. DRCD. LVS

3.差分对中, 不影响其共模抑制⽐的因素为( )A．差分管的对称性B.电流源的交流阻抗C.输⼊电压幅度

D.电阻R C1和R C2的对称性

4.在PMOS中, 衬底上加上正电压偏置, 会使阈值电压( )A. 增⼤ B 不变 C 减⼩ D 可⼤可⼩

5.随着微电⼦⼯艺⽔平提⾼, 特征尺⼨不断减⼩, 这时电路的⼯作电压会（）A不断提⾼ B. 不变 C. 可⼤可⼩ D. 不断降低6.下列（）技术指标不能描述集成电路⼯艺⽔平？A．集成度 B.特征尺⼨ C. 芯⽚⾯积 D. 输⼊阻抗7.CMOS推挽放⼤器NMOS管和PMOS管分别⼯作于( ).

A . NMOS管⼯作于截⽌区和线性区; PMOS管⼯作于截⽌区和线性区B. NMOS管⼯作于饱和区和线性区; PMOS管⼯作于饱和区和线性区C. NMOS管⼯作于饱和区; PMOS管⼯作于饱和区

D. NMOS管⼯作于饱和区和线性区; PMOS管⼯作于截⽌区和线性区8.CMOS放⼤器的电压增益( ) E/E, E/D放⼤器.(所⽤器件相同情况下)A. ⾼于B.等于C. ⼩于

D. 可能⾼也可能低

9.对于电流镜的要求, 那种说法正确( )

A. 输出阻抗⾼B输出阻抗低C交流输出阻抗⾼D直流输出阻抗⾼

10.Cascode电流镜的最⼩输出电压V MIN(out)的值为( )

A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN11.正偏⼆级管具有( )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负12.差分放⼤器差模电压增益与( )有关A.双端输⼊还是单端输出;B.双端输出还是单端输出C.双端输⼊还是单端输⼊D.与输⼊输出形式⽆关

13.在模拟和数字混合电路中, 关于电源和地线的说法正确的是( )A．模拟和数字部分可共⽤地线, 不能共⽤电源线B．模拟和数字部分不能共⽤地线, 不能共⽤电源线C．模拟和数字部分不能共⽤地线, 能共⽤电源线D．模拟和数字部分能共⽤地线, 也能共⽤电源线14.下图⽰出的剖⾯图AB

A. A 是纵向npn, B 是纵向pnpB. A 是横向npn, B 是纵向pnpC. A 是纵向npn, B 是横向pnpD. A 是横向npn, B 是横向pnp

15. 在下列防⽌CMOS IC 中闩锁效应的办法中， （ ）不可采⽤。A ． 让NMOS 和PMOS 在许可的范围尽可能远离；B ． 降低寄⽣NPN 、PNP 的β；C ． 增加R S 、R W ；D ． 采⽤深槽隔离。

⼆. SBD （Schttky-Barrier-Diode) 与pn 结⼆极管相⽐较，有何特点？(10分) 三. 何谓pn 结隔离？为保证隔离效果，应满⾜什么条件？(15分) 四. MOS 模拟集成电路和双极型模拟集成电路相⽐各有什么特点(10分)

四. 差分放⼤器如图所⽰, Ω==k R R C C 10021, Ω=M R E 1, 求双端输出的差模电压增益和单端输出的共模电压增益.(10分)

V in

六(15分) 计算Wilson 电流源的输出电阻; 并计算出当V o变化为5V时, Io变化为百分之⼏?

I refT

＝0.7V, 七．(15分)⼀个全NPN管的Darlington输出级如图。所有器件均为V BE（on）

V CE(sat)=0.2V, βF=100, T3的集电极电流为2mA。1．如果R L＝8Ω，试计算V o正的和负的最⼤值2．试计算V o＝0V时电路的功耗12V