一种垂直型氮化镓功率开关器件[实用新型专利]

来源：星星旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种垂直型氮化镓功率开关器件专利类型：实用新型专利

发明人：王晓亮,肖红领,李百泉,王权,冯春,殷海波,姜丽娟,邱

爱芹,崔磊,介芳

申请号：CN201521006533.7申请日：20151208公开号：CN205231071U公开日：20160511

摘要：本申请公开了一种垂直型氮化镓功率开关器件，该开关器件包括：衬底a；N型重掺杂氮化镓层b；电流窗口层c；非故意掺杂高迁移率氮化镓层d；氮化铝插入层e；非有意掺杂铝镓氮势垒层f；欧姆接触源极Source；欧姆接触漏极Drain；肖特基接触栅极Gate。本申请的开关器件具有两个高阻区HR-GaN做为电流阻挡区，电流窗口区g作为垂直的电流通道，可以实现垂直型氮化镓基功率器件，漏极和其它电极（栅极、漏极）不在一个平面上，这样可以避免在材料表面形成高场区，导致表面漏电、表面击穿、虚栅效应引起的电流崩塌等问题；同时，可以减小器件的尺寸，提高晶圆的利用率。

申请人：北京华进创威电子有限公司,中国科学院半导体研究所

地址：101111 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院

国籍：CN

代理机构：北京中创阳光知识产权代理有限责任公司

代理人：尹振启

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