一种半导体陶瓷电容器生产设备[发明专利]

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 CN 1124998 A(43)申请公布日 2021.03.12

(21)申请号 202011352234.4(22)申请日 2020.11.27

(71)申请人 高峰

地址 518000 广东省深圳市福田区金田路

4018号安联大厦九楼、十楼(72)发明人 高峰　(51)Int.Cl.

H01G 4/12(2006.01)H01G 4/30(2006.01)H01G 13/00(2013.01)

权利要求书1页 说明书4页 附图7页

CN 1124998 A()发明名称

一种半导体陶瓷电容器生产设备(57)摘要

本发明公开了一种半导体陶瓷电容器生产

控制箱、热压机、电机、升设备，其结构包括箱座、

降柱，箱座后端上侧与控制箱下侧焊接连接，热压机与升降柱外侧活动卡合，电机下侧与升降柱上端嵌固连接，升降柱下侧与箱座中部上侧螺栓连接，顶出杆向上顶压带动调节杆推动连接杆曲线转动对模板内部的瓷土毛刺进行切割，顶出杆向上同时保护罩内部的弹簧柱压缩向上通过顶针对模板内侧的瓷土进行刺穿，提高电容生产的成品率，侧面的框体内部的顶杆被连接杆推动带动将滑块向上推动，随后通过复位板向下回弹，这个过程带动了刮片在框体的外侧上下移动，对瓷土外侧的刺边进行了刮除，提高了半导体陶瓷电容的抗电击破能力，同时提高了电容的滤波能力。

CN 1124998 A

权　利　要　求　书

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1.一种半导体陶瓷电容器生产设备，其结构包括箱座(1)、控制箱(2)、热压机(3)、电机(4)、升降柱(5)，所述箱座(1)后端上侧与控制箱(2)下侧焊接连接，所述热压机(3)与升降柱(5)外侧活动卡合，所述电机(4)下侧与升降柱(5)上端嵌固连接，所述升降柱(5)下侧与箱座(1)中部上侧螺栓连接，其特征在于：

所述热压机(3)包括升降块(31)、下压器(32)、热压盘(33)，所述升降块(31)右端内部与升降柱(5)外侧活动卡合，所述下压器(32)下端与升降块(31)左端内部嵌固连接，所述热压盘(33)中部上侧与下压器(32)下端焊接连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷电容器生产设备，其特征在于：所述热压盘(33)包括螺纹柱(331)、水平盘(332)、底模(333)，所述螺纹柱(331)内部与下压器(32)下端螺纹配合，所述水平盘(332)中部上侧与螺纹柱(331)下侧相焊接，所述底模(333)上侧与水平盘(332)下端间隙配合。

3.根据权利要求2所述的一种半导体陶瓷电容器生产设备，其特征在于：所述底模(333)包括主体块(33a)、顶升台(33b)、加热管(33c)、小模块(33d)，所述主体块(33a)内部与顶升台(33b)外侧滑动配合，所述顶升台(33b)上侧与小模块(33d)下端间隙配合，所述加热管(33c)与主体块(33a)内部嵌固连接，所述小模块(33d)上侧与水平盘(332)下侧间隙配合。

4.根据权利要求3所述的一种半导体陶瓷电容器生产设备，其特征在于：所述小模块(33d)包括固定框(d1)、顶出杆(d2)、调节杆(d3)、连接杆(d4)，所述固定框(d1)内部与顶出杆(d2)外侧焊接连接，所述调节杆(d3)与顶出杆(d2)中部外侧轴连接，所述连接杆(d4)轴连接在调节杆(d3)上端与顶出杆(d2)上端外侧之间。

5.根据权利要求4所述的一种半导体陶瓷电容器生产设备，其特征在于：所述顶出杆(d2)包括保护罩(d21)、弹簧柱(d22)、模板(d23)、顶针(d24)，所述保护罩(d21)外侧与模板(d23)内侧间隙配合，所述弹簧柱(d22)与保护罩(d21)嵌固连接，所述模板(d23)外侧与固定框(d1)上端外侧嵌固连接，所述顶针(d24)与弹簧柱(d22)上侧焊接连接。

6.根据权利要求5所述的一种半导体陶瓷电容器生产设备，其特征在于：所述顶针(d24)包括针体(r1)、弹片(r2)、刺球(r3)，所述针体(r1)下端与弹簧柱(d22)上端内部嵌固连接，所述弹片(r2)与针体(r1)内部轴连接，所述刺球(r3)与弹片(r2)上端轴连接。

7.根据权利要求5所述的一种半导体陶瓷电容器生产设备，其特征在于：所述模板(d23)包括框体(e1)、顶杆(e2)、复位板(e3)、滑块(e4)、刮片(e5)，所述框体(e1)内侧与保护罩(d21)外侧间隙配合，所述顶杆(e2)与滑块(e4)右端轴连接，所述复位板(e3)一端与滑

所述刮片(e5)与滑块块(e4)上端螺栓连接，并且另一端与框体(r1)上端内侧嵌固连接，

(e4)左侧焊接。

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说　明　书

一种半导体陶瓷电容器生产设备

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技术领域

[0001]本发明属于导体陶瓷领域，更具体的说，尤其涉及到一种半导体陶瓷电容器生产设备。

背景技术

[0002]半导体陶瓷电容器主要用于为送电、配电管路处理脉冲能量，通过将高介电常数的电容器陶瓷挤压呈圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成，在挤压陶瓷的过程中需要用到热压机对瓷体进行热压成型，在高压半导体陶瓷电容器的热压过程中通过将陶瓷与导体层叠热压，但是由于陶瓷在热压过程中内部的水分子活动加剧容易形成空泡，空泡降低了陶瓷层与导体层之间的电阻系数，同时有可能会导致电容

刺边会造成电容外部包裹层破裂降低了电容的抗电击破能力，使得电容的侧面产生刺边，

滤波能力下降，降低了半导体陶瓷电容器的工作效能。发明内容

[0003]为了解决上述技术陶瓷在热压过程中内部的水分子活动加剧容易形成空泡，空泡降低了陶瓷层与导体层之间的电阻系数，同时有可能会导致电容侧面产生刺边，本发明提供一种半导体陶瓷电容器生产设备。[0004]为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体陶瓷电容器生产设备，其结构包括箱座、控制箱、热压机、电机、升降柱，所述箱座后端上侧与控制箱下侧焊接连接，所述热压机与升降柱外侧活动卡合，所述电机下侧与升降柱上端嵌固连接，所述升降柱下侧与箱座中部上侧螺栓连接，所述热压机包括升降块、下压器、热压盘，所述升降块右端内部与升降柱外侧活动卡合，所述下压器下端与升降块左端内部嵌固连接，所述热压盘中部上侧与下压器下端焊接连接。[0005]作为本发明的进一步改进，所述热压盘包括螺纹柱、水平盘、底模，所述螺纹柱内部与下压器下端螺纹配合，所述水平盘中部上侧与螺纹柱下侧相焊接，所述底模上侧与水平盘下端间隙配合，所述螺纹柱与水平盘垂直安装，所述水平盘大小与底模上侧的大小相同。

[0006]作为本发明的进一步改进，所述底模包括主体块、顶升台、加热管、小模块，所述主体块内部与顶升台外侧滑动配合，所述顶升台上侧与小模块下端间隙配合，所述加热管与主体块内部嵌固连接，所述小模块上侧与水平盘下侧间隙配合，所述主体块内部为空心结构，并且所述顶升台外侧宽度与主体块内部大小相同，所述小模块数量为五个，并且呈直线分布。

[0007]作为本发明的进一步改进，所述小模块包括固定框、顶出杆、调节杆、连接杆，所述固定框内部与顶出杆外侧焊接连接，所述调节杆与顶出杆中部外侧轴连接，所述连接杆轴连接在调节杆上端与顶出杆上端外侧之间，所述连接杆形状为弧形，并且数量为两个，以顶出杆为中心呈左右对称分布。

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作为本发明的进一步改进，所述顶出杆包括保护罩、弹簧柱、模板、顶针，所述保护

罩外侧与模板内侧间隙配合，所述弹簧柱与保护罩嵌固连接，所述模板外侧与固定框上端外侧嵌固连接，所述顶针与弹簧柱上侧焊接连接，所述顶针数量为五个，并且呈水平分布，所述保护罩材质为丁基橡胶材质，具有耐磨损，弹性好的特点。[0009]作为本发明的进一步改进，所述顶针包括针体、弹片、刺球，所述针体下端与弹簧柱上端内部嵌固连接，所述弹片与针体内部轴连接，所述刺球与弹片上端轴连接，所述刺球数量为六个，并且以针体中部为中心呈左右对称分布。[0010]作为本发明的进一步改进，所述模板包括框体、顶杆、复位板、滑块、刮片，所述框体内侧与保护罩外侧间隙配合，所述顶杆与滑块右端轴连接，所述复位板一端与滑块上端螺栓连接，并且另一端与框体上端内侧嵌固连接，所述刮片与滑块左侧焊接，所述复位板形

具有高弹性，耐疲劳的特点。状为之字型，并且材质为碳素弹簧钢材质，

[0011]有益效果

[0012]与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：[0013]1、顶出杆向上顶压带动调节杆推动连接杆曲线转动对模板内部的瓷土毛刺进行切割，减少了对电容外部包裹层的损害，顶出杆向上同时保护罩内部的弹簧柱压缩向上通过顶针对模板内侧的瓷土进行刺穿，将瓷土内部的空泡刺破，提高电容生产的成品率。[0014]2、侧面的框体内部的顶杆被连接杆推动带动将滑块向上推动，随后通过复位板向下回弹，这个过程带动了刮片在框体的外侧上下移动，对瓷土外侧的刺边进行了刮除，提高了半导体陶瓷电容的抗电击破能力，同时提高了电容的滤波能力。附图说明

[0015]图1为本发明一种半导体陶瓷电容器生产设备的结构示意图。[0016]图2为本发明一种热压机的立体结构示意图。[0017]图3为本发明一种热压盘的侧视剖视结构示意图。[0018]图4为本发明一种底模的侧视半剖结构示意图。[0019]图5为本发明一种小模块的侧视半剖结构示意图。[0020]图6为本发明一种顶出杆的侧视半剖结构示意图。[0021]图7为本发明一种顶针的侧视半剖结构示意图。[0022]图8为本发明一种模板的内部侧视结构示意图。[0023]图中：箱座‑1、控制箱‑2、热压机‑3、电机‑4、升降柱‑5、升降块‑31、下压器‑32、热压盘‑33、螺纹柱‑331、水平盘‑332、底模‑333、主体块‑33a、顶升台‑33b、加热管‑33c、小模块‑33d、固定框‑d1、顶出杆‑d2、调节杆‑d3、连接杆‑d4、保护罩‑d21、弹簧柱‑d22、模板‑d23、顶针‑d24、针体‑r1、弹片‑r2、刺球‑r3、框体‑e1、顶杆‑e2、复位板‑e3、滑块‑e4、刮片‑e5。

具体实施方式

[0024]以下结合附图对本发明做进一步描述：[0025]实施例1：

[0026]如附图1至附图6所示：

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本发明提供一种半导体陶瓷电容器生产设备，其结构包括箱座1、控制箱2、热压机

3、电机4、升降柱5，所述箱座1后端上侧与控制箱2下侧焊接连接，所述热压机3与升降柱5外侧活动卡合，所述电机4下侧与升降柱5上端嵌固连接，所述升降柱5下侧与箱座1中部上侧螺栓连接，所述热压机3包括升降块31、下压器32、热压盘33，所述升降块31右端内部与升降柱5外侧活动卡合，所述下压器32下端与升降块31左端内部嵌固连接，所述热压盘33中部上侧与下压器32下端焊接连接。[0028]其中，所述热压盘33包括螺纹柱331、水平盘332、底模333，所述螺纹柱331内部与下压器32下端螺纹配合，所述水平盘332中部上侧与螺纹柱331下侧相焊接，所述底模333上侧与水平盘332下端间隙配合，所述螺纹柱331与水平盘332垂直安装，所述水平盘332大小与底模333上侧的大小相同，使得螺纹柱331通过下压器32能够向下挤压，提高了对瓷土的压力，降低内部气泡的生成。[0029]其中，所述底模333包括主体块33a、顶升台33b、加热管33c、小模块33d，所述主体块33a内部与顶升台33b外侧滑动配合，所述顶升台33b上侧与小模块33d下端间隙配合，所述加热管33c与主体块33a内部嵌固连接，所述小模块33d上侧与水平盘332下侧间隙配合，所述主体块33a内部为空心结构，并且所述顶升台33b外侧宽度与主体块33a内部大小相同，所述小模块33d数量为五个，并且呈直线分布，使得顶升台33b能够通过对五个陶瓷电容进行顶出，提高生产的数量，降低了产品的差异性。[0030]其中，所述小模块33d包括固定框d1、顶出杆d2、调节杆d3、连接杆d4，所述固定框d1内部与顶出杆d2外侧焊接连接，所述调节杆d3与顶出杆d2中部外侧轴连接，所述连接杆d4轴连接在调节杆d3上端与顶出杆d2上端外侧之间，所述连接杆d4形状为弧形，并且数量为两个，以顶出杆d2为中心呈左右对称分布，使得连接杆d4能够通过调节杆d3将顶出杆d2上端向内侧挤压，提高了对陶瓷外侧毛刺的清理能力。[0031]其中，所述顶出杆d2包括保护罩d21、弹簧柱d22、模板d23、顶针d24，所述保护罩d21外侧与模板d23内侧间隙配合，所述弹簧柱d22与保护罩d21嵌固连接，所述模板d23外侧与固定框d1上端外侧嵌固连接，所述顶针d24与弹簧柱d22上侧焊接连接，所述顶针d24数量为五个，并且呈水平分布，所述保护罩d21材质为丁基橡胶材质，具有耐磨损，弹性好的特点，使得保护罩d21能够防止外界的灰尘进入弹簧柱d22导致弹簧柱d22上端卡顿，增加了对陶瓷内部气泡的清除能力，降低空泡产生。[0032]本实施例的具体使用方式与作用：[0033]本发明中，通过箱座1上侧的控制箱2控制热压机3上端电机4转动带动升降柱5调整升降块31向下移动，同时启动下压器32将热压盘33上端的螺纹柱331通过螺纹向下伸出，向下伸出后水平盘332会将底模333内部的瓷土和导片进行挤压成型，在挤压的过程中主体块33a通过顶升台33b对瓷土进行底部支撑，加热管33c将瓷土加热到预定温度改变内部物理结构成型固定，在对瓷土进行支撑时小模块33d通过固定框d1固定瓷土的大小，再通过顶出杆d2向上顶压带动调节杆d3推动连接杆d4曲线转动对模板d23内部的瓷土毛刺进行切割，减少了对电容外部包裹层的损害，顶出杆d2向上同时保护罩d21内部的弹簧柱d22压缩向上通过顶针d24对模板d23内侧的瓷土进行刺穿，将瓷土内部的空泡刺破，提高电容生产的成品率。

[0034]实施例2：

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如附图7至附图8所示：

[0036]其中，所述顶针d24包括针体r1、弹片r2、刺球r3，所述针体r1下端与弹簧柱d22上端内部嵌固连接，所述弹片r2与针体r1内部轴连接，所述刺球r3与弹片r2上端轴连接，所述刺球r3数量为六个，并且以针体r1中部为中心呈左右对称分布，使得针体r1对空泡刺破的效率得到提高，增加了对气泡的清理效率。[0037]其中，所述模板d23包括框体e1、顶杆e2、复位板e3、滑块e4、刮片e5，所述框体e1内侧与保护罩d21外侧间隙配合，所述顶杆e2与滑块e4右端轴连接，所述复位板e3一端与滑块e4上端螺栓连接，并且另一端与框体r1上端内侧嵌固连接，所述刮片e5与滑块e4左侧焊接，所述复位板e3形状为之字型，并且材质为碳素弹簧钢材质，具有高弹性，耐疲劳的特点，使得复位板e3能够将向上滑动的滑块e4向下挤压，增加了对瓷土边缘毛刺的清除效果。[0038]本实施例的具体使用方式与作用：[0039]本发明中，顶针d24向上刺穿时针体r1会通过弹片r2将刺球r3顶出对瓷土内部的气泡进行刺穿，使得瓷土内部的气体排出，提高了电容内部的瓷土密度，提高了对高压电的抗击穿能力，同时侧面的框体e1内部的顶杆e2被连接杆d4推动带动将滑块e4向上推动，随后通过复位板e3向下回弹，这个过程带动了刮片e5在框体e1的外侧上下移动，对瓷土外侧的刺边进行了刮除，提高了半导体陶瓷电容的抗电击破能力，同时提高了电容的滤波能力。[0040]设利用本发明所述技术方案，或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下，计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本发明的保护范围。

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图1

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图2

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图5

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