集成电路及其制造方法和设计方法[发明专利]

来源：星星旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：集成电路及其制造方法和设计方法专利类型：发明专利发明人：金珉修

申请号：CN201910992060.9申请日：20191018公开号：CN1112779A公开日：20200612

摘要：提供一种集成电路及其制造方法和设计方法。所述集成电路包括半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中，所述多条栅极线布置在第一方向上并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述多条金属线形成在栅极层上方的导电层中，其中，所述多条金属线布置在第一方向上并且在第二方向上延伸。6N条金属线和4N条栅极线形成单元线路结构，其中，N是正整数，并且多个单元线路结构布置在第一方向上。通过单元线路结构增强集成电路的设计效率和性能。

申请人：三星电子株式会社

地址：韩国京畿道水原市

国籍：KR

代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司

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