专利名称：图像传感器和其制造方法专利类型：发明专利发明人：尹盈提
申请号：CN200710302347.1申请日：20071225公开号：CN101221964A公开日：20080716
摘要：本发明提供图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括光电二极管区域、绝缘层结构、防止漏光单元、滤色器和微透镜。半导体衬底的像素区域中的光电二极管区域产生对应于入射光的电信号。光电二极管区域包括第一光电二极管、第二光电二极管、和第三光电二极管。所述绝缘层结构包括对应于第一到第三光电二极管之间的边界的沟槽。防止漏光单元形成在所述光电二极管之间的沟槽中并且防止光通过沟槽。滤色器对应于第一到第三光电二极管而形成在绝缘层结构上，并且微透镜对应于每个滤色器位于滤色器上。
申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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