基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体[发明专利]

专利名称：基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半

导体

专利类型：发明专利

发明人：T·梅耶尔-弗里德里奇森,K·路透,A·埃尔施纳,M·哈里

克

申请号：CN201180035592.5申请日：20110719公开号：CN103140493A公开日：20130605

摘要：本发明涉及通式(I)的化合物：其中Z为：-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR)(其中基团R可相同或不同且为氢原子或C-C烷基)、磺酸基团-SOH、卤代甲硅烷基-SiHalR(R=C-C烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR)(R=C-C烷基)取代的C-C烷基；-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR)(其中基团R可相同或不同且为氢原子或C-C烷基)、磺酸基团-SOH、卤代甲硅烷基-SiHalR(R=C-C烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR)(R=C-C烷基)取代的C-C环烷基；-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR)(其中基团R可相同或不同且为氢原子或C-C烷基)、磺酸基团-SOH、卤代甲硅烷基-SiHalR(R=C-C烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR)(R=C-C烷基)取代的C-C芳基或选自噻吩基、吡咯基、呋喃基或吡啶基的杂芳基；-任选被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR)(其中基团R可相同或不同且为氢原子或C-C烷基)、磺酸基团-SOH、卤代甲硅烷基-SiHalR(R=C-C烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR)(R=C-C烷基)取代的C-C芳烷基；或者-三烷基甲硅烷基RRRSi，其中R、R、R彼此独立地为相同或不同的C-C烷基。本发明还涉及一种半导体层、一种电子组件、一种制备电子组件的方法、可通过该方法获得的电子组件以及通式(I)化合物的用途。

申请人：赫劳斯贵金属有限两和公司

地址：德国哈瑙

国籍：DE

代理机构：北京市中咨律师事务所

更多信息请下载全文后查看