氮化镓晶体管及其制造方法[发明专利]

来源：星星旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：氮化镓晶体管及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：刘美华,孙辉,林信南,陈建国申请号：CN201610178244.8申请日：20160325公开号：CN107230625A公开日：20171003

摘要：本发明提供一种氮化镓晶体管及其制造方法，其中方法包括：在硅衬底的表面上方形成未掺杂的氮化镓层，在所述未掺杂的氮化镓层的表面上方形成氮化镓铝层；在所述氮化镓铝层的表面上方沉积一层氮化硅，形成介质层；对所述介质层、所述氮化镓铝层和所述未掺杂的氮化镓层进行刻蚀，形成漏极接触孔和源极接触孔；在所述漏极接触孔和源极接触孔中再生长出N型掺杂的氮化镓层，并在所述漏极接触孔中的N型掺杂的氮化镓层的上方形成漏极，在所述源极接触孔中的N型掺杂的氮化镓层的上方形成源极。本发明提供的氮化镓晶体管及其制造方法，能够减小欧姆接触电阻，增加器件电流，提高器件的整体性能。

申请人：北京大学,北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司

地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号

国籍：CN

代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司

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